MOS管的闸电流中的“Qg”意思是： Q----表示电荷量，g-----表示栅极。Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。
MOS管的栅极特性相当于一个电容，电容是以电荷量Q，单位库伦表示所储存的电能量。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
扩展资料
MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。
假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。
参考资料：
百度百科-mos管
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